Hittite微波公司(HITT)面向技術要求嚴苛的射頻(RF)微波和毫米波應用，設計和開發高性能集成電路、模塊和子系統。這些應用包括蜂窩、光纖和衛星通信，以及醫學及科學成像、工業儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經驗和創新實踐，Hittite在模擬、數字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統的設計和裝配，覆蓋面十分廣泛。

Hittite Microwave公司設計和開發高性能的射頻微波電路集成電路，模塊和子系統，微波和毫米波應用。產品的頻率范圍為直流到110 GHz。我們已經開發出了模擬，數字和混合信號半導體技術和從設備級到完整的子系統的設計和組裝。我們的數字集成電路，射頻集成電路和單片微波集成電路產品采用先進設備，最先進的砷化鎵（GaAs）和基于硅半導體工藝開發。最先進的這些砷化鎵，氮化鎵的InGaP用先進設備，最先進的砷化鎵（GaAs）和基于硅半導體工藝開發。最先進的這些用先進設備，最先進的砷化鎵（GaAs）和基于硅半導體工藝開發。最先進的這些砷化鎵，GaN，SOI，SiGe半導體，CMOS和BiCMOS半導體工藝利用MESFET，HEMT，pHEMT制，pHEMT制，HBT和PIN設備。